印心耕讀

【聯合晚報╱記者徐睦鈞╱即時報導】 2014.05.30 02:24 am


半導體股旺宏電子 (2337)宣布，其先進的12吋晶圓廠已開始研發製造第二代36奈米Single- Level Cell（SLC）NAND型快閃記憶體系列產品。

這一最新SLC NAND Flash包含3V及1.8V兩個系列，存儲容量橫跨1Gb至8Gb。旺宏同時推出NAND-based MCP(Multi-ChipPackage)產品，以提供客戶更完整的NAND Flash產品解決方案，滿足嵌入式及無線網路市場廣泛的應用需求。

隨著消費性電子產品功能日趨多樣化，其內建的操作系統亦越顯複雜，帶動嵌入式市場對於高容量、高效能快閃記憶體需求的快速成長。旺宏推出的SLC NAND Flash，依此市場趨勢應運而生，不但性能卓越，具高可靠度，且產品容量及操作溫度範圍更廣，並享有旺宏自有晶圓廠的長期技術支持。

旺宏電子行銷副總經理倪福隆表示，旺宏第二代36奈米SLCNAND系列產品，搭配原有的第一代512Mb及1Gb產品，能提供客戶更完備的產品組合及解決方案，並更加鞏固旺宏在嵌入式市場現有的領導地位。旺宏以自有的研發技術，從既有的Parallel NOR、Serial NOR及XtraROMR產品線，再進一步延伸至NAND。



《科技》低容量Flash，記憶體廠新利基

2014/03/03 08:49 時報資訊


【時報-台北電】包括三星、東芝等國際記憶體大廠相繼退出8Gb以下SLC NAND Flash市場，台灣記憶體廠旺宏、力晶等積極卡位，其中旺宏以自有矽智財開發出36奈米SLC NAND Flash晶片，已開始送樣並陸續獲得國際系統大廠認證通過。由於8Gb以下SLC NAND Flash市場供不應求且價格大漲，法人看好旺宏有機會力拚賺錢。

過去10年當中，包括東芝、三星等國際記憶體廠張開專利防護傘，導致國內記憶體廠無法搶進NAND Flash市場，僅有力晶因獲得日本瑞薩AG-AND技術授權而得以生產低容量NAND Flash晶片。


而今年以來，國際大廠因現有20奈米以下先進製程用來生產8Gb以下容量SLC NAND Flash不具成本效益，相繼決定退出，使得今年來8Gb及4Gb SLC NAND Flash市場供不應求，價格已大漲逾20％。

看好低容量SLC NAND Flash仍被大量應用在工控、航太、軍事等市場，旺宏以自有NOR Flash專利及矽智財，成功開發自有SLC NAND Flash晶片，並且避開國際大廠專利，去年已開始以36奈米生產NAND Flash並送樣認證，今年陸續獲得國際系統大廠認證通過。

旺宏總經理盧志遠日前表示，包括三星、東芝等四大NAND Flash廠現在都是主攻64Gb以上高容量，1Gb～8Gb低容量市場均已慢慢退出，所以對旺宏來說，低容量NAND Flash仍然有10～20億美元的市場可以搶攻市占，將成為今年最具成長性的市場。(新聞來源：工商時報─記者涂志豪／台北報導)